FQB3N30TM
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FQB3N30TM |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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683+ | $0.44 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 1.6A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.2A (Tc) |
FQB3N30TM Einzelheiten PDF [English] | FQB3N30TM PDF - EN.pdf |
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